TPN6R303NC,LQ

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TPN6R303NC,LQ

MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

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  • Fr. Teil #TPN6R303NC,LQ
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Spezifikationen

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series U-MOSVIII
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 6.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.3V @ 200µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 24 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1370 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 700mW (Ta), 19W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-TSON Advance (3.1x3.1)

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