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TPS1120DR

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus	Active
FETType	2 P-Channel (Dual)
FETFeature	Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)	15V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	1.17A
RdsOn(Max)@IdVgs	180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	5.45nC @ 10V
Power-Max	840mW
OperatingTemperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

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