TSM6502CR RLG

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TSM6502CR RLG

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

  • HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
  • Fr. Teil #TSM6502CR RLG
  • Paket PowerTDFN-8
  • Datenblatt
  • Auf Lager9678

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Spezifikationen

Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N and P-Channel
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 24A (Tc), 18A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Power-Max 40W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-PowerTDFN

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