TT8U1TR

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TT8U1TR

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.4A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6.7 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 850 pF @ 10 V
FETFeature Schottky Diode (Isolated)
PowerDissipation(Max) 1.25W (Ta)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-TSST

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