UF3C120150K4S

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UF3C120150K4S

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4

  • Hersteller
  • Fr. Teil #UF3C120150K4S
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  • Datenblatt
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Spezifikationen

Supplier UnitedSiC
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 18.4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 12V
RdsOn(Max)@IdVgs 180mOhm @ 5A, 12V
Vgs(th)(Max)@Id 5.5V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25.7 nC @ 12 V
Vgs(Max) ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 738 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 166.7W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4

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