UPA2730TP-E2-AZ

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UPA2730TP-E2-AZ

UPA2730 - POWER FIELD-EFFECT TRA

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  • Fr. Teil #UPA2730TP-E2-AZ
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A (Ta), 42A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 7mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 97 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4670 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 3W (Ta), 40W (Tc)
OperatingTemperature 150°C
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-HSOP

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