WG50N65DHWQ

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WG50N65DHWQ

IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247

  • HerstellerWeEn Semiconductors
  • Fr. Teil #WG50N65DHWQ
  • Paket TO-247-3
  • Datenblatt
  • Auf Lager4632

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Spezifikationen

Package Tube
ProductStatus Active
IGBTType Trench Field Stop
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 650 V
Current-Collector(Ic)(Max) 91 A
Current-CollectorPulsed(Icm) 200 A
Vce(on)(Max)@VgeIc 2V @ 15V, 50A
Power-Max 278 W
SwitchingEnergy 1.7mJ (on), 600µJ (off)
InputType Standard
GateCharge 160 nC
Td(on/off)@25°C 66ns/163ns
TestCondition 400V, 50A, 10Ohm, 15V
ReverseRecoveryTime(trr) 105 ns
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
Package/Case TO-247-3

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