WNSC2D30650WQ

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WNSC2D30650WQ

DUAL SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI

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Spezifikationen

Supplier WeEn Semiconductors
Package Tube
ProductStatus Active
DiodeConfiguration 1 Independent
DiodeType Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 650 V
Current-AverageRectified(Io)(perDiode) 30A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.7 V @ 30 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 100 µA @ 650 V
OperatingTemperature-Junction 175°C
MountingType Through Hole
Package/Case TO-247-2

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