IRF7101PBF

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IRF7101PBF

HEXFET POWER MOSFET

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Spezifikationen

Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.5A
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 320pF @ 15V
Power-Max 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

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