IRF7902TRPBF

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IRF7902TRPBF

HEXFET POWER MOSFET

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Spezifikationen

Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.4A (Ta), 9.7A (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 22.6mOhm @ 6.4A, 10V, 14.4mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.25V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6.9nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 580pF @ 15V, 900pF @ 15V
Power-Max 1.4W (Ta), 2W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

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