RGT16NS65DGC9

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RGT16NS65DGC9

IGBT

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tube
ProductStatus Active
IGBTType Trench Field Stop
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 650 V
Current-Collector(Ic)(Max) 16 A
Current-CollectorPulsed(Icm) 24 A
Vce(on)(Max)@VgeIc 2.1V @ 15V, 8A
Power-Max 94 W
InputType Standard
GateCharge 21 nC
Td(on/off)@25°C 13ns/33ns
TestCondition 400V, 8A, 10Ohm, 15V
ReverseRecoveryTime(trr) 42 ns
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
Package/Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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