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RJK0222DNS-00#J5

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Bulk
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature	Logic Level Gate, 4.5V Drive
DraintoSourceVoltage(Vdss)	25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	14A, 16A
RdsOn(Max)@IdVgs	9.2mOhm @ 7A, 10V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	6.2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	810pF @ 10V
Power-Max	8W, 10W
OperatingTemperature	150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	8-WDFN Exposed Pad

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