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SIZ988DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	TrenchFET®
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Dual)
FETFeature	Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)	30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	40A (Tc), 60A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Power-Max	20.2W, 40W
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	8-PowerWDFN

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