TSM150NB04DCR RLG

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TSM150NB04DCR RLG

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V

  • HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
  • Fr. Teil #TSM150NB04DCR RLG
  • Paket PowerTDFN-8
  • Datenblatt
  • Auf Lager4898

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Spezifikationen

Package 1
Series Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
FETType Active
FETFeature 2 N-Channel (Dual)
DraintoSourceVoltage(Vdss) Standard
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 40V
RdsOn(Max)@IdVgs 8A (Ta), 38A (Tc)
Vgs(th)(Max)@Id 15mOhm @ 8A, 10V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 4V @ 250µA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 18nC @ 10V
Power-Max 1132pF @ 20V
OperatingTemperature 2W (Ta), 40W (Tc)
MountingType -55°C ~ 150°C (TJ)
Package/Case Surface Mount

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