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GT15J341,S4X
PB-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO
- HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
- Fr. Teil #GT15J341,S4X
- Paket TO-220SIS-3
- Datenblatt GT15J341,S4X DataSheet
- Auf Lager3561
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Spezifikationen
Package | Tube |
ProductStatus | Active |
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 600 V |
Current-Collector(Ic)(Max) | 15 A |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 60 A |
Vce(on)(Max)@VgeIc | 2V @ 15V, 15A |
Power-Max | 30 W |
SwitchingEnergy | 300µJ (on), 300µJ (off) |
InputType | Standard |
Td(on/off)@25°C | 60ns/170ns |
TestCondition | 300V, 15A, 33Ohm, 15V |
ReverseRecoveryTime(trr) | 80 ns |
OperatingTemperature | 150°C (TJ) |
MountingType | Through Hole |
Package/Case | TO-220-3 Full Pack |
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