GT20N135SRA,S1E

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GT20N135SRA,S1E

D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A

  • HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
  • Fr. Teil #GT20N135SRA,S1E
  • Paket TO-247
  • Datenblatt
  • Auf Lager27

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Spezifikationen

Package Tube
ProductStatus Active
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 1350 V
Current-Collector(Ic)(Max) 40 A
Current-CollectorPulsed(Icm) 80 A
Vce(on)(Max)@VgeIc 2.4V @ 15V, 40A
Power-Max 312 W
SwitchingEnergy -, 700µJ (off)
InputType Standard
GateCharge 185 nC
TestCondition 300V, 40A, 39Ohm, 15V
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
Package/Case TO-247-3

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