SI4963BDY-T1-E3

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SI4963BDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

  • HerstellerVishay Siliconix
  • Fr. Teil #SI4963BDY-T1-E3
  • Paket SOIC-8
  • Datenblatt
  • Auf Lager3213

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Spezifikationen

Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.9A
RdsOn(Max)@IdVgs 32mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 21nC @ 4.5V
Power-Max 1.1W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

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