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SIZ328DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	TrenchFET® Gen IV
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Dual)
FETFeature	Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)	25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Power-Max	2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	8-PowerWDFN

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