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SIZF640DT-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	TrenchFET® Gen IV
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Dual) Common Source
FETFeature	Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)	40V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	41A (Ta), 159A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	1.37mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	2.4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	106nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	5750pF @ 20V
Power-Max	4.2W (Ta), 62.5W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	8-PowerDFN

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