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SQUN702E-T1_GE3
MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
- HerstellerVishay Siliconix
- Fr. Teil #SQUN702E-T1_GE3
- Paket Die
- Datenblatt SQUN702E-T1_GE3 DataSheet
- Auf Lager5379
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Spezifikationen
Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
ProductStatus | Active |
FETType | N and P-Channel, Common Drain |
FETFeature | Standard |
DraintoSourceVoltage(Vdss) | 40V, 200V |
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 30A (Tc), 20A (Tc) |
RdsOn(Max)@IdVgs | 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V |
Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA |
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V |
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V |
Power-Max | 48W (Tc), 60W (Tc) |
OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
MountingType | Surface Mount, Wettable Flank |
Package/Case | Die |
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